伍法才 教师风采

伍法才，男，博士，南昌职业大学专任教师，具备丰富半导体微电子企业一线工程实操经验。本科毕业于湖北大学，硕士就读武汉大学，博士毕业于国立阳明交通大学，深耕微电子、新型存储器件领域，拥有产业研发与高校教学双重从业背景。

一、行业与教学经历

产业工作经历（2024.10-2025.02）

锐立平芯微电子 (广州) 有限责任公司 器件主任工程师 深耕晶圆测试、芯片器件工艺研发全流程，熟练掌握 WAT 测试程序开发、芯片版图 GDSJDV 审查、晶圆批次全流程管理；依托器件测试数据定位工艺缺陷，输出多项工艺优化方案，主导多项工艺改进落地，精通半导体芯片测试、器件制造、良率提升全链条技术，具备完整集成电路企业项目实操经验。

高校教学工作（2025.04 - 至今）

南昌职业大学专任教师

1. 课程教学：依据专业人才培养方案完成微电子、半导体、集成电路相关专业课程授课，结合自身企业研发案例与前沿科研成果优化课堂内容，打通产业实操与课堂理论教学。

2. 课程建设：参与电子信息、微电子专业课程体系优化，自主编写配套教学讲义、制作专业课件，筛选贴合芯片产业岗位需求的教学参考资料。

3. 学业考核指导：依托课堂作业、仿真实验、课程论文、期末考核多维评价学生专业能力，针对半导体器件、芯片测试等重难点内容一对一指导学生，提升学生工程实践能力。

4. 科研工作：积极申报国家自然科学基金、省部级各类科研项目，围绕阻变存储器、忆阻器、光电神经形态器件方向开展系统性科研攻关。

二、学术科研成果

长期聚焦阻变存储器（RRAM）、忆阻器、柔性人工突触、光电类脑计算器件研究，在国际权威期刊累计发表高水平 SCI 学术论文 8 篇，其中中科院一区顶刊 1 篇、二区期刊 4 篇、三区期刊 2 篇、四区期刊 1 篇，论文发表于Nanotechnology、Advanced Electronic Materials、IEEE Transactions on Electron Devices、Advanced Functional Materials、ACS Applied Electronic Materials等微电子领域国际知名期刊；以共同第一作者在材料领域顶刊Advanced Functional Materials发表柔性忆阻突触相关研究成果。 授权国家发明专利 1 项：一种实现多值存储的阻变存储器的制备方法（专利号：CN 106887519A，授权时间 2017.06.23）。

三、荣誉奖项与资质

1. 学业竞赛奖学金：连续多年斩获中技社科技奖学金暨 AI 创意竞赛奖项（2019/2022/2023 年度）；国立阳明交通大学陆生感恩培英奖学金（2019/2022/2023 年度）、国立阳明交通大学陆生新生奖学金（2018 年）。

2. 在校荣誉：武汉大学研究生学业奖学金、湖北大学优秀学生奖学金。

3. 专业资质：大学英语六级，具备流畅英文文献读写、国际期刊论文撰写能力。

四、主攻研究方向

新型阻变存储器（RRAM）、忆阻器（Memristor）、柔性人工突触器件、光电神经形态计算、半导体晶圆测试工艺、微电子器件工艺优化、集成电路器件良率提升。

五、育人特色

坚持产教融合、教研一体教学理念，将芯片企业晶圆测试、器件开发、工艺改良一线实操案例融入课堂教学，注重培养学生集成电路工程实操、数据分析、工艺优化核心能力；兼顾前沿科研创新教学，引导学生接触新型存储、类脑芯片国际前沿研究，打通 “课堂理论 — 企业工程 — 前沿科研” 三维培养路径，着力培育适配半导体、集成电路产业需求的应用型电子信息专业人才。